锐宸旭是面向大陆市场全新打造的半导体加工企业，与中国台湾世宣科技公司深度合作，引进并本土化超精密研磨切割减薄技术。
锐宸旭与中国台湾世宣科技公司共同合作，引进其在第三代宽禁带半导体领域深耕多年的超精密研磨、切割与减薄技术，实现技术本土化落地。
世宣科技于 2007 年在中国台湾创办，长期聚焦 GaN 等第三代半导体散热难、应力高的工艺痛点，提供专业的晶圆减薄与切割解决方案。
团队已将多项中国台湾成熟的自研专利技术引入大陆，稳步开拓国内第三代半导体产业版图，为客户提供从研发到量产的贴身服务。
第三代半导体产业飞速崛起，硅基氮化镓（GaN-on-Si）渗透率逐年攀升；高压、大功率应用场景持续扩容，对晶圆后端精密制程与散热工艺提出了更高标准。
采用自主研发的专利技术，以独立分离的加工工序处理晶圆，从根本上降低 GaN 材料因高硬度、高脆性导致的加工崩裂风险。
采用自主研发的专利技术，以独立分离的加工工序处理晶圆，从根本上降低 GaN 材料因高硬度、高脆性导致的加工崩裂风险。
创新专利研切技术精准控制加工过程中的应力分布，减少芯片隐裂与缺陷风险，提升制程稳定性。
加工过程中保留适当厚度进行切割，再研磨至最终尺寸，有效降低晶圆在薄化过程中的破裂风险。
支持破损晶圆直接修整加工，无须额外处理步骤，减少材料损耗，提升晶圆整体利用率。
精密减薄、散热提升、应力控制、确保良率——四位一体，为 GaN-on-Si 器件量产保驾护航。
GaN 晶圆可稳定减薄至 75–150 μm，满足超薄化产品需求，突破传统整片研磨限制，可针对单颗晶粒进行独立减薄。
芯片减薄可有效缩短热传导路径、降低器件热阻；结合封装结构优化，进一步提升散热效率与长期可靠性。
采用自主专利研磨加工技术，建立差异化 GaN 超薄加工能力，有效降低超薄加工过程中的崩边、微裂纹及破片风险。
透过稳定的精密加工制程，提升整体成品良率与材料利用率；支持单颗芯片独立加工，降低因局部异常造成的整批材料损失。
传统合封因芯片厚度差异需加入 Spacer 垫片补偿高度，增加热界面并延长热传导路径。锐宸旭的超精密减薄技术可使 GaN 晶粒厚度与 Si MOSFET 高度匹配，从而取消 Spacer，实现封装结构简化与热阻改善的双重收益。
通过精确控制 GaN 晶粒厚度，使其接近 Si MOSFET 厚度，从根本上减少封装堆叠中的补偿垫片，缩短垂直热传导路径。
结果：封装结构更简化、GaN 热传导距离更短、热管理潜力更佳，整体散热与可靠性显著提升。
| 比较项目 | 传统合封 | 超精密减薄 Spacer-free 方案 |
|---|---|---|
| GaN/MOSFET 高度匹配 | 依赖 Spacer 补偿 | 控制 GaN 厚度匹配 |
| MOSFET 底部 Spacer | 需要 | 可取消 |
| 热传导界面 | 较多 | 较少 |
| 封装结构 | 较复杂 | 较简化 |
| GaN 热传导距离 | 较长 | 减薄后缩短 |
| 热管理潜力 | 受 Spacer 与厚度影响 | 更低热阻、更佳散热 |
汇聚两岸技术力量，填补第三代半导体 GaN-on-Si 超薄精密加工领域的技术空白。
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